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chips de silicona monocristalina de alta estabilidad con sensor de presión/diferencial de presión

  • highly stable monocrystalline silicon pressure/differential pressure sensor chips
Lugar de origen China.
Nombre de la marca BEWIS
Número de modelo El BW-MD3
Cantidad de orden mínima 1
Precio $143
Condiciones de pago T/T

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Datos del producto
Rango de acción 40Kpa Supertensión (hacia atrás) 5Mpa
Supertensión (positiva) 6Mpa tensión recomendada 4.5~5.5V
Prejuicios < 0,050 % FS
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Descripción de producto

La serie BW-MD de Bewis de un chip de sensores de silicio monocristalino altamente estable, que tiene un número de prestaciones de excelencia, y se ha lanzado por lotes al mercado internacional.Se ha utilizado ampliamente en petroquímica, energía metalúrgica, automatización industrial, aeroespacial, Internet de las cosas y otros campos en Europa y Asia.

Características ((Medido a I=0,3mA, T=23°C)

Parámetros Min tipo el máximo Unidad
Resistencia del puente 9.5 10 10.5 KΩ
Tensión de desplazamiento - ¿ Qué pasa? 0 +3 MV/V
Válvula de alimentación - 3 10 V.
Corriente de suministro - 0.3 1 - ¿Qué es?
Coeficiente de temperatura de la resistencia del puente +0 en el segundo.05 +0 en el segundo.08 +0 en el segundo.12 % FS/K
Coeficiente de temperatura del punto cero - No hay nada.05 ± 003 +0 en el segundo.05 % FS/K
Coeficiente de temperatura de escala completa - No hay nada.05 - No hay nada.08 - No hay nada.15

Prejuicios de la temperatura

(42h, de 30°C a 135°C a 30°C)

 0.02 1 2 UV/V
Características de la presión estática - 0.03 - ±% FS/10MPa
Estabilidad a largo plazo (1000 h, 135°C) - ≤ 3 años ± 5 UV/V
No linealidad - ≤ 03 - ±% FS
Sensibilidad Se trata de la siguiente: 6 8 10 MV/V
Se trata de un sistema de control de la calidad. 15 20 25 MV/V

Estabilidadchips de silicona monocristalina de alta estabilidad con sensor de presión/diferencial de presión 0(Calentamiento de 23°C a 85°C durante 30 horas,volver a 23°C. Medida de la deriva cero durante 42 horas)

chips de silicona monocristalina de alta estabilidad con sensor de presión/diferencial de presión 1